N-Kanal-Transistor STW34NB20, 21A, 34A, 10uA, 0.62 Ohms, TO-247, TO-247, 200V

N-Kanal-Transistor STW34NB20, 21A, 34A, 10uA, 0.62 Ohms, TO-247, TO-247, 200V

Menge
Stückpreis
1-4
8.50fr
5-24
7.82fr
25-49
7.27fr
50+
6.77fr
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N-Kanal-Transistor STW34NB20, 21A, 34A, 10uA, 0.62 Ohms, TO-247, TO-247, 200V. ID (T=100°C): 21A. ID (T=25°C): 34A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.62 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Spannung Vds(max): 200V. Anzahl der Terminals: 3. C(in): 2400pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Funktion: PowerMESH™ MOSFET. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 1uA. Id(imp): 136A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: W34NB20. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Kosten): 650pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 180W. RoHS: ja. Spec info: Schaltnetzteile SMPS, DC-AC-Wandler. Td(off): 17 ns. Td(on): 30 ns. Temperatur: +150°C. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 290 ns. Vgs(th) min.: 4 v. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 19:08

STW34NB20
32 Parameter
ID (T=100°C)
21A
ID (T=25°C)
34A
IDSS (max)
10uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.62 Ohms
Gehäuse
TO-247
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-247
Spannung Vds(max)
200V
Anzahl der Terminals
3
C(in)
2400pF
Drain-Source-Schutz
Zenerdiode
Funktion
PowerMESH™ MOSFET
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
30 v
IDss (min)
1uA
Id(imp)
136A
Kanaltyp
N
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
W34NB20
Konditionierung
Kunststoffrohr
Konditionierungseinheit
30
Kosten)
650pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
180W
RoHS
ja
Spec info
Schaltnetzteile SMPS, DC-AC-Wandler
Td(off)
17 ns
Td(on)
30 ns
Temperatur
+150°C
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
290 ns
Vgs(th) min.
4 v
Originalprodukt vom Hersteller
Stmicroelectronics