N-Kanal-Transistor SUP85N03-3M6P, 85A, 85A, 250uA, 0.003 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v

N-Kanal-Transistor SUP85N03-3M6P, 85A, 85A, 250uA, 0.003 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v

Menge
Stückpreis
1-4
2.48fr
5-24
2.16fr
25-49
1.93fr
50+
1.69fr
Menge auf Lager: 498

N-Kanal-Transistor SUP85N03-3M6P, 85A, 85A, 250uA, 0.003 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. ID (T=100°C): 85A. ID (T=25°C): 85A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.003 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 30 v. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 3535pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Funktion: Netzteil, DC/DC-Wandler. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 60.4k Ohms. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Kosten): 680pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 78W. RoHS: ja. Spec info: (D-S) 150°C MOSFET. Td(off): 35 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: TrenchFET® Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 41 ns. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt vom Hersteller: Vishay. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 19:08

Technische Dokumentation (PDF)
SUP85N03-3M6P
32 Parameter
ID (T=100°C)
85A
ID (T=25°C)
85A
IDSS (max)
250uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.003 Ohms
Gehäuse
TO-220
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220AB
Spannung Vds(max)
30 v
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
3535pF
Drain-Source-Schutz
Diode
Funktion
Netzteil, DC/DC-Wandler
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
IDss (min)
1uA
Id(imp)
60.4k Ohms
Kanaltyp
N
Konditionierung
Kunststoffrohr
Konditionierungseinheit
50
Kosten)
680pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
78W
RoHS
ja
Spec info
(D-S) 150°C MOSFET
Td(off)
35 ns
Td(on)
11 ns
Technologie
TrenchFET® Power MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
41 ns
Vgs(th) min.
1V
Originalprodukt vom Hersteller
Vishay