N-Kanal-Transistor TIG056BF-1E, TO-220FP, TO-220F-3FS, 430V. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F-3FS. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 430V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 5500pF. CE-Diode: nein. Funktion: Low-saturation voltage, Ultra high speed switching. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 2.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 33V. Germaniumdiode: Suppressor. Ic(Impuls): 240A. Kanaltyp: N. Kollektorstrom: 240A. Kosten): 100pF. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 5V. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 30W. RoHS: ja. Spec info: High speed hall time--tf=270nS(typ). Sättigungsspannung VCE(sat): 3.6V. Td(off): 140 ns. Td(on): 46 ns. Technologie: Enhancement type. Verschiedenes: Blitz, Stroboskopsteuerung. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 19:08