N-Kanal-Transistor TK20J50D, 20A, 10uA, 0.22 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 500V. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.22 Ohms. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Spannung Vds(max): 500V. Anzahl der Terminals: 3. C(in): 2600pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Funktion: Anwendungen von Schaltreglern. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Id(imp): 80A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K20J50D. Kosten): 280pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 280W. RoHS: ja. Td(off): 150 ns. Td(on): 100 ns. Technologie: Feldeffekt-POWER-MOS-Typ (MOSVII). Temperatur: +150°C. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 1700 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Toshiba. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 19:08