N-Kanal-Transistor TK6A65D, 6A, 10uA, 0.95 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 650V. ID (T=25°C): 6A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.95 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 650V. Anzahl der Terminals: 3. C(in): 1050pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Schaltregler. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 10uA. Id(imp): 24A. Kanaltyp: N. Kosten): 100pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 45W. RoHS: ja. Td(off): 75 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: Feldeffekttransistor. Temperatur: +150°C. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 1300 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Toshiba. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 19:08