N-Kanal-Transistor VNP10N07, TO-220, 70V, 10A, 200uA, 0.10 Ohms, TO-220, 70V. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 70V. ID (T=25°C): 10A. IDSS (max): 200uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.10 Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 70V. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 900ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: -. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 10A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 5A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 100 ns. Funktion: Vollständig automatisch geschützter Leistungs-MOSFET. G-S-Schutz: Zenerdiode. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Herstellerkennzeichnung: VNP10N07-E. IDss (min): 50uA. IGF: 50mA. Id(imp): 14A. Kanaltyp: N. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Kosten): 350pF. Maximale Temperatur: +135°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 50W. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: ja. Spec info: Lineare Strombegrenzung. Td(off): 230 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: OMNIFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 125 ns. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 19:08