N-Kanal-Transistor VNP35N07, TO-220, Intern begrenzt, 200uA, 70V, 0.028 Ohms, TO-220AB, 70V

N-Kanal-Transistor VNP35N07, TO-220, Intern begrenzt, 200uA, 70V, 0.028 Ohms, TO-220AB, 70V

Menge
Stückpreis
1-4
6.54fr
5-9
5.91fr
10-24
5.46fr
25-49
5.10fr
50+
4.55fr
+97 weitere Stück ab Lager lieferbar (Lieferung innerhalb von 4 Stunden). Kontaktieren Sie uns für Preise und Verfügbarkeit!
Menge auf Lager: 23

N-Kanal-Transistor VNP35N07, TO-220, Intern begrenzt, 200uA, 70V, 0.028 Ohms, TO-220AB, 70V. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. ID (T=25°C): Intern begrenzt. IDSS (max): 200uA. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 70V. Einschaltwiderstand Rds On: 0.028 Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 70V. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 1000 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: -. Drain-Source-Schutz: ja. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 35A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms @ 18A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 200 ns. Funktion: „Vollständig automatisch geschützter Fahrerschalter“. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Herstellerkennzeichnung: VNP35N07. IDss (min): 50uA. Kanaltyp: N. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Kosten): 980pF. Maximale Temperatur: +135°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Menge pro Karton: 1. Pd (Verlustleistung, max): 125W. RoHS: ja. Spec info: Lineare Strombegrenzung. Td(off): 650 ns. Td(on): 100 ns. Technologie: OMNIFET. Transistortyp: MOSFET. Verwendet für: Ilim= 35A IR= -50A. Vin-Eingangsspannung (max): 18V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 19:08

Technische Dokumentation (PDF)
VNP35N07
35 Parameter
Gehäuse
TO-220
ID (T=25°C)
Intern begrenzt
IDSS (max)
200uA
Drain-Source-Spannung Uds [V]
70V
Einschaltwiderstand Rds On
0.028 Ohms
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220AB
Spannung Vds(max)
70V
Anzahl der Terminals
3
Anzahl der Terminals
3
Ausschaltverzögerung tf[nsec.]
1000 ns
Drain-Source-Schutz
ja
Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen
35A
Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.028 Ohms @ 18A
Einschaltzeit ton [nsec.]
200 ns
Funktion
„Vollständig automatisch geschützter Fahrerschalter“
Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]
3V
Herstellerkennzeichnung
VNP35N07
IDss (min)
50uA
Kanaltyp
N
Komponentenfamilie
MOSFET, N-MOS
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Kosten)
980pF
Maximale Temperatur
+135°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
125W
Menge pro Karton
1
Pd (Verlustleistung, max)
125W
RoHS
ja
Spec info
Lineare Strombegrenzung
Td(off)
650 ns
Td(on)
100 ns
Technologie
OMNIFET
Transistortyp
MOSFET
Verwendet für
Ilim= 35A IR= -50A
Vin-Eingangsspannung (max)
18V
Originalprodukt vom Hersteller
Stmicroelectronics