N-Kanal-Transistor YJP200G06A, 60V, 0.0029 Ohms, TO-220AB

Menge

Stückpreis

1-9

1.56fr

10-19

1.25fr

20-29

1.15fr

30-49

1.05fr

50-149

0.97fr

150+

0.94fr

Menge auf Lager: 369

N-Kanal-Transistor YJP200G06A, 60V, 0.0029 Ohms, TO-220AB. Drain-Source-Spannung (Vds): 60V. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0029 Ohms. Gehäuse: TO-220AB. Kanaltyp: N. Leistung: 260W. Maximaler Drainstrom: 200A. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Originalprodukt vom Hersteller: Yangjie Electronic Technology. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 05:18

Technische Dokumentation (PDF)

YJP200G06A

8 Parameter

Drain-Source-Spannung (Vds)

60V

Einschaltwiderstand Rds On

0.0029 Ohms

Gehäuse

TO-220AB

Kanaltyp

Leistung

260W

Maximaler Drainstrom

200A

Transistortyp

MOSFET-Leistungstransistor

Originalprodukt vom Hersteller

Yangjie Electronic Technology