N-Kanal-Transistor ZXMN7A11GTA, 3A, 3.8A, 1uA, 0.13 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 70V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 3.8A. IDSS (max): 1uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.13 Ohms. Gehäuse: SOT-223 ( TO-226 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-223. Spannung Vds(max): 70V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 298pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 0uA. Id(imp): 10A. Kanaltyp: N. Kosten): 35pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Td(off): 11.5 ns. Td(on): 1.9 ns. Technologie: „Anreicherungsmodus-MOSFET“. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): -. Vgs(th) max.: -. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt vom Hersteller: Diodes Inc. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 23:05