NPN-Transistor 2N2222AG, 0.6A, TO-92, TO-92 ( BULK Pack ), 40V

NPN-Transistor 2N2222AG, 0.6A, TO-92, TO-92 ( BULK Pack ), 40V

Menge
Stückpreis
5-49
0.0721fr
50-99
0.0643fr
100+
0.0566fr
Menge auf Lager: 2143
Minimum: 5

NPN-Transistor 2N2222AG, 0.6A, TO-92, TO-92 ( BULK Pack ), 40V. Kollektorstrom: 0.6A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92 ( BULK Pack ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. FT: 300 MHz. Funktion: Verstärkertransistor. Halbleitermaterial: Silizium. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 2N2222A. Konditionierung: -. Konditionierungseinheit: 5000. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 35. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 0.625mW. RoHS: ja. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Tf(max): 25 ns. Transistortyp: NPN. VCBO: 75V. Vebo: 6V. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Mindestmenge: 5. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 01:37

Technische Dokumentation (PDF)
2N2222AG
24 Parameter
Kollektorstrom
0.6A
Gehäuse
TO-92
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-92 ( BULK Pack )
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
40V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
FT
300 MHz
Funktion
Verstärkertransistor
Halbleitermaterial
Silizium
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
2N2222A
Konditionierungseinheit
5000
Maximaler hFE-Gewinn
300
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
35
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
0.625mW
RoHS
ja
Sättigungsspannung VCE(sat)
0.3V
Tf(max)
25 ns
Transistortyp
NPN
VCBO
75V
Vebo
6V
Originalprodukt vom Hersteller
ON Semiconductor
Mindestmenge
5