NPN-Transistor 2N3019-ST, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 80V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: TO-39 ( TO-205 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-39. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Anzahl der Terminals: 3. FT: 100 MHz. Halbleitermaterial: Silizium. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 0.8W. RoHS: ja. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Technologie: „Planarer Epitaxietransistor“. Temperatur: +175°C. Transistortyp: NPN. VCBO: 140V. Vebo: 7V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 01:37