NPN-Transistor 2N3439, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 350V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: TO-39 ( TO-205 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-39. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 350V. Anzahl der Terminals: 3. FT: 15 MHz. Funktion: S/VID. Halbleitermaterial: Silizium. Maximaler hFE-Gewinn: 160. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 30. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Technologie: „Epitaxialer planarer NPN-Transistor“. Temperatur: +200°C. Transistortyp: NPN. VCBO: 450V. Vebo: 7V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 01:37