NPN-Transistor 2N5401, TO-92, TO-226AA, 160V, 600mA, 0.6A, TO-92, 150V. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226AA. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 160V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 600mA. Kollektorstrom: 0.6A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -55...+150°C. CE-Diode: nein. FT: 100 MHz. Frequenz: 400MHz. Gewinne hfe: 240. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Halbleitermaterial: Silizium. Herstellerkennzeichnung: 2N5401. Kollektorstrom Ic [A]: 600mA. Komponentenfamilie: PNP-Transistor. Konditionierung: Ammo Pack. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Kosten): 6pF. Leistung: 0.625W. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Maximaler hFE-Gewinn: 240. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 50. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. Polarität: bipolar. RoHS: ja. Spannung (Sammler - Emitter): 150V. Spec info: 2N5401. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Transistortyp: PNP. VCBO: 160V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Diotec Semiconductor. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 01:37