NPN-Transistor 2N5415, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 200V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: TO-39 ( TO-205 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-39. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 200V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. C(in): 75pF. CE-Diode: nein. FT: 15 MHz. Halbleitermaterial: Silizium. Kosten): 15pF. Maximaler hFE-Gewinn: 150. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 30. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 1W. RoHS: ja. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Temperatur: +200°C. Transistortyp: PNP. VCBO: 200V. Vebo: 4 v. Originalprodukt vom Hersteller: Cdil. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 01:37