NPN-Transistor 2N6080, 5A, M135, 36V
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Stückpreis
1-4
14.60fr
5-9
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10-19
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20-39
12.40fr
40+
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NPN-Transistor 2N6080, 5A, M135, 36V. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse (laut Datenblatt): M135. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 36V. BE-Diode: nein. CE-Diode: nein. FT: 175 MHz. Funktion: VHF-O Tr. Halbleitermaterial: Silizium. Menge pro Karton: 1. Pd (Verlustleistung, max): 12W. Spec info: SD1012. Transistortyp: NPN. Originalprodukt vom Hersteller: Microsemi. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 01:37
2N6080
13 Parameter
Kollektorstrom
5A
Gehäuse (laut Datenblatt)
M135
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
36V
BE-Diode
nein
CE-Diode
nein
FT
175 MHz
Funktion
VHF-O Tr
Halbleitermaterial
Silizium
Menge pro Karton
1
Pd (Verlustleistung, max)
12W
Spec info
SD1012
Transistortyp
NPN
Originalprodukt vom Hersteller
Microsemi