NPN-Transistor 2N6488, 15A, TO-220, TO-220, 80V

NPN-Transistor 2N6488, 15A, TO-220, TO-220, 80V

Menge
Stückpreis
1-4
1.31fr
5-24
1.13fr
25-49
1.03fr
50-99
0.95fr
100+
0.84fr
Gleichwertigkeit vorhanden
Menge auf Lager: 134

NPN-Transistor 2N6488, 15A, TO-220, TO-220, 80V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -65...+165°C. CE-Diode: nein. FT: 5 MHz. Funktion: Verstärker- und Schaltanwendungen. Halbleitermaterial: Silizium. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 3.5V. Maximaler hFE-Gewinn: 150. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 75W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2N6491. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.3V. Transistortyp: NPN. VCBO: 90V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 01:37

Technische Dokumentation (PDF)
2N6488
24 Parameter
Kollektorstrom
15A
Gehäuse
TO-220
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
80V
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
Betriebstemperatur
-65...+165°C
CE-Diode
nein
FT
5 MHz
Funktion
Verstärker- und Schaltanwendungen
Halbleitermaterial
Silizium
Maximale Sättigungsspannung VCE(sat)
3.5V
Maximaler hFE-Gewinn
150
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
20
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
75W
RoHS
ja
Spec info
Komplementärtransistor (Paar) 2N6491
Sättigungsspannung VCE(sat)
1.3V
Transistortyp
NPN
VCBO
90V
Vebo
5V
Originalprodukt vom Hersteller
ON Semiconductor

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