NPN-Transistor 2N6517, 0.5A, TO-92, TO-92, 350V. Kollektorstrom: 0.5A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 350V. BE-Diode: nein. CE-Diode: nein. FT: 40MHz (min), 200MHz (max). Funktion: -. Halbleitermaterial: Silizium. Kosten): 6pF. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Maximaler hFE-Gewinn: 200. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2N6520. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Technologie: NPN-Epitaxie-Siliziumtransistor. Transistortyp: NPN. VCBO: 350V. Vebo: 6V. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 01:37