NPN-Transistor 2N6520, -350V, 0.5A, TO-92, TO-92, 350V. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: -350V. Kollektorstrom: 0.5A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 350V. BE-Diode: nein. C(in): 100pF. CE-Diode: nein. FT: 200 MHz. Funktion: -. Halbleitermaterial: Silizium. Kosten): 6pF. Leistung: 0.63W. Max Frequenz: 40MHz. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Maximaler hFE-Gewinn: 200. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 15. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. Polarität: PNP. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2N6517. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Transistortyp: PNP. VCBO: 350V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Cdil. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 01:37