NPN-Transistor 2SA1015Y, 0.15A, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorstrom: 0.15A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -...+125°C. CE-Diode: nein. FT: 80 MHz. Funktion: hFE.120-240. Halbleitermaterial: Silizium. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 1015 Y. Kosten): 4pF. Maximaler hFE-Gewinn: 240. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 120. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 0.4W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC1815Y. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.1V. Technologie: „Epitaktischer Typ (PCT-Prozess)“. Temperatur: +125°C. Transistortyp: PNP. VCBO: 50V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Toshiba. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 01:37