NPN-Transistor 2SA1075, RM-60, 120V, 12A
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NPN-Transistor 2SA1075, RM-60, 120V, 12A. Gehäuse: RM-60. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 120V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 12A. Anzahl der Terminals: 3. Grenzfrequenz ft [MHz]: -. Herstellerkennzeichnung: -. Komponentenfamilie: PNP Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: -.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 120W. RoHS: nein. Bestandsmenge aktualisiert am 03/11/2025, 07:51
2SA1075
8 Parameter
Gehäuse
RM-60
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]
120V
Kollektorstrom Ic [A], max.
12A
Anzahl der Terminals
3
Komponentenfamilie
PNP Bipolar Transistor
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
120W
RoHS
nein