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NPN-Transistor 2SA1117, TO-3, 200V, 17A, 17A, 200V
Menge
Stückpreis
1-4
12.65fr
5-9
11.72fr
10-24
10.83fr
25+
10.33fr
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NPN-Transistor 2SA1117, TO-3, 200V, 17A, 17A, 200V. Gehäuse: TO-3. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 200V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 17A. Kollektorstrom: 17A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 200V. Anzahl der Terminals: 3. FT: 20 MHz. Funktion: S-L. Grenzfrequenz ft [MHz]: -. Halbleitermaterial: Silizium. Herstellerkennzeichnung: -. Komponentenfamilie: PNP Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: -.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 200W. Menge pro Karton: 1. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: nein. Transistortyp: PNP. Originalprodukt vom Hersteller: --. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 01:37
2SA1117
16 Parameter
Gehäuse
TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]
200V
Kollektorstrom Ic [A], max.
17A
Kollektorstrom
17A
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
200V
Anzahl der Terminals
3
FT
20 MHz
Funktion
S-L
Halbleitermaterial
Silizium
Komponentenfamilie
PNP Bipolar Transistor
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
200W
Menge pro Karton
1
Pd (Verlustleistung, max)
200W
RoHS
nein
Transistortyp
PNP