NPN-Transistor 2SA1123, 50mA, TO-92, TO-92, 150V. Kollektorstrom: 50mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Anzahl der Terminals: 3. FT: 200 MHz. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 100mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: A1123. Maximaler hFE-Gewinn: 220. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 130. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 0.75W. RoHS: ja. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Technologie: „Epitaxie-Planertyp“. Temperatur: +150°C. Transistortyp: PNP. VCBO: 150V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Panasonic. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 01:37