NPN-Transistor 2SA1177, D6/C, 30V/20V, 30mA
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NPN-Transistor 2SA1177, D6/C, 30V/20V, 30mA. Gehäuse: D6/C. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30V/20V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 30mA. Anzahl der Terminals: 3. Grenzfrequenz ft [MHz]: -. Herstellerkennzeichnung: -. Komponentenfamilie: PNP Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: -.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.15W. RoHS: nein. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 21:15
2SA1177
8 Parameter
Gehäuse
D6/C
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]
30V/20V
Kollektorstrom Ic [A], max.
30mA
Anzahl der Terminals
3
Komponentenfamilie
PNP Bipolar Transistor
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
0.15W
RoHS
nein