NPN-Transistor 2SA1213Y, 2A, SOT-89, 2-5K1A, 50V. Kollektorstrom: 2A. Gehäuse: SOT-89. Gehäuse (laut Datenblatt): 2-5K1A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. BE-Diode: nein. CE-Diode: nein. FT: 120 MHz. Halbleitermaterial: Silizium. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: NY. Kosten): 40pF. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Maximaler hFE-Gewinn: 240. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 120. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Spec info: Siebdruck / SMD-Code NY. Transistortyp: PNP. VCBO: 50V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Toshiba. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 01:37