NPN-Transistor 2SA1358Y, 1A, TO-126F, TO-126F (2-8A1H), 120V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: TO-126F. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126F (2-8A1H). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -...+150°C. CE-Diode: nein. FT: 120 MHz. Halbleitermaterial: Silizium. Kosten): 30pF. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Maximaler hFE-Gewinn: 240. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 120. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 10W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC3421Y. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Technologie: „Epitaktischer Typ (PCT-Prozess)“. Transistortyp: PNP. VCBO: 120V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Toshiba. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 01:37