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NPN-Transistor 2SA1386A, 15A, TO-3P ( TO3P ), MT-100(TO3P), 180V
Menge
Stückpreis
1-4
6.00fr
5-14
5.41fr
15-29
5.01fr
30-59
4.71fr
60+
4.27fr
| Gleichwertigkeit vorhanden | |
| Menge auf Lager: 12 |
NPN-Transistor 2SA1386A, 15A, TO-3P ( TO3P ), MT-100(TO3P), 180V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-3P ( TO3P ). Gehäuse (laut Datenblatt): MT-100(TO3P). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 180V. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -55...+150°C. CE-Diode: nein. FT: 40 MHz. Gewicht: 6g. Halbleitermaterial: Silizium. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: A1386A. Kosten): 500pF. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Menge pro Karton: 1. Pd (Verlustleistung, max): 130W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC3519A. Transistortyp: PNP. VCBO: 180V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Sanken. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 01:37
2SA1386A
20 Parameter
Kollektorstrom
15A
Gehäuse
TO-3P ( TO3P )
Gehäuse (laut Datenblatt)
MT-100(TO3P)
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
180V
BE-Diode
nein
Betriebstemperatur
-55...+150°C
CE-Diode
nein
FT
40 MHz
Gewicht
6g
Halbleitermaterial
Silizium
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
A1386A
Kosten)
500pF
Maximale Sättigungsspannung VCE(sat)
2V
Menge pro Karton
1
Pd (Verlustleistung, max)
130W
Spec info
Komplementärtransistor (Paar) 2SC3519A
Transistortyp
PNP
VCBO
180V
Vebo
5V
Originalprodukt vom Hersteller
Sanken