NPN-Transistor 2SA965, 0.8A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 120V. Kollektorstrom: 0.8A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92M ( 9mm ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. CE-Diode: nein. FT: 120 MHz. Funktion: PCT-Prozess. Halbleitermaterial: Silizium. Maximaler hFE-Gewinn: 240. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 80. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 0.9W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC2235-Y. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Technologie: Epitaxietyp. Temperatur: +150°C. Transistortyp: PNP. VCBO: 120V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Toshiba. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 07:35