NPN-Transistor 2SB817, 12A, TO-3PN, 160V
Menge
Stückpreis
1-4
1.88fr
5-9
1.68fr
10-24
1.51fr
25-49
1.40fr
50+
1.24fr
| Menge auf Lager: 9 |
NPN-Transistor 2SB817, 12A, TO-3PN, 160V. Kollektorstrom: 12A. Gehäuse: TO-3PN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. BE-Diode: nein. CE-Diode: nein. FT: 15 MHz. Halbleitermaterial: Silizium. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD1047. Transistortyp: PNP. Originalprodukt vom Hersteller: Pmc. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 03:51
2SB817
13 Parameter
Kollektorstrom
12A
Gehäuse
TO-3PN
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
160V
BE-Diode
nein
CE-Diode
nein
FT
15 MHz
Halbleitermaterial
Silizium
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
100W
Spec info
Komplementärtransistor (Paar) 2SD1047
Transistortyp
PNP
Originalprodukt vom Hersteller
Pmc