NPN-Transistor 2SB861, 2A, TO-220, TO-220AB, 150V. Kollektorstrom: 2A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. BE-Widerstand: 47. CE-Diode: nein. Darlington-Transistor?: nein. Funktion: PNP-Transistor. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 5A. Maximaler hFE-Gewinn: 200. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 30W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD1138. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Transistortyp: PNP. VCBO: 200V. Widerstand B: 10. Originalprodukt vom Hersteller: Hitachi. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 21:26