NPN-Transistor 2SC1214, D35/B, 500mA

NPN-Transistor 2SC1214, D35/B, 500mA

Menge
Stückpreis
1+
0.62fr
Menge auf Lager: 7

NPN-Transistor 2SC1214, D35/B, 500mA. Gehäuse: D35/B. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. Anzahl der Terminals: 3. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Grenzfrequenz ft [MHz]: -. Herstellerkennzeichnung: -. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 50V. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: -.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.6W. RoHS: nein. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:23

Technische Dokumentation (PDF)
2SC1214
8 Parameter
Gehäuse
D35/B
Kollektorstrom Ic [A], max.
500mA
Anzahl der Terminals
3
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]
50V
Komponentenfamilie
NPN Bipolar Transistor
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
0.6W
RoHS
nein