NPN-Transistor 2SC1967, 2A, 35V

NPN-Transistor 2SC1967, 2A, 35V

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5-99
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100+
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NPN-Transistor 2SC1967, 2A, 35V. Kollektorstrom: 2A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 35V. FT: 470 MHz. Funktion: UHF-L. Halbleitermaterial: Silizium. Menge pro Karton: 1. Pd (Verlustleistung, max): 8W. Transistortyp: NPN. Originalprodukt vom Hersteller: Mitsubishi Electric Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 03:51

Technische Dokumentation (PDF)
2SC1967
9 Parameter
Kollektorstrom
2A
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
35V
FT
470 MHz
Funktion
UHF-L
Halbleitermaterial
Silizium
Menge pro Karton
1
Pd (Verlustleistung, max)
8W
Transistortyp
NPN
Originalprodukt vom Hersteller
Mitsubishi Electric Semiconductor