NPN-Transistor 2SC2240GR, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -55...+125°C. CE-Diode: nein. Darlington-Transistor?: nein. FT: 100 MHz. Halbleitermaterial: Silizium. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C224GR. Kosten): 3pF. Maximaler hFE-Gewinn: 400. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA970GR. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Technologie: „Epitaktischer Typ (PCT-Prozess)“. Transistortyp: NPN. VCBO: 120V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Toshiba. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 05:13