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NPN-Transistor 2SC2690A, 1.2A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 160V
Menge
Stückpreis
1-4
1.15fr
5-24
0.97fr
25-49
0.84fr
50-99
0.77fr
100+
0.65fr
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NPN-Transistor 2SC2690A, 1.2A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 160V. Kollektorstrom: 1.2A. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. BE-Diode: nein. CE-Diode: nein. FT: 155 MHz. Funktion: HF. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 2.5A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C2690A Y. Kosten): 19pF. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.7V. Maximaler hFE-Gewinn: 320. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 160. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1220A. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Transistortyp: NPN. VCBO: 160V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 05:13
2SC2690A
24 Parameter
Kollektorstrom
1.2A
Gehäuse
TO-126 (TO-225, SOT-32)
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-126
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
160V
BE-Diode
nein
CE-Diode
nein
FT
155 MHz
Funktion
HF
Halbleitermaterial
Silizium
Ic(Impuls)
2.5A
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
C2690A Y
Kosten)
19pF
Maximale Sättigungsspannung VCE(sat)
0.7V
Maximaler hFE-Gewinn
320
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
160
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
20W
Spec info
Komplementärtransistor (Paar) 2SA1220A
Sättigungsspannung VCE(sat)
0.4V
Transistortyp
NPN
VCBO
160V
Vebo
5V
Originalprodukt vom Hersteller
ON Semiconductor