NPN-Transistor 2SC2713-GR, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 120V. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. CE-Diode: nein. FT: 100 MHz. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code DG. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: DG. Maximaler hFE-Gewinn: 700. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 150mW. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1163. Sättigungsspannung VCE(sat): 300mV. Transistortyp: NPN. VCBO: 120V. Originalprodukt vom Hersteller: Toshiba. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 05:13