NPN-Transistor 2SC3460, 6A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PB, 800V. Kollektorstrom: 6A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Anzahl der Terminals: 3. FT: 15 MHz. Funktion: Anwendungen von Schaltreglern. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 20A. Maximaler hFE-Gewinn: 40. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 100W. RoHS: ja. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Technologie: „Triple Diffused Planar Silicon Transistor“. Temperatur: +150°C. Tf(max): 0.3us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1100V. Vebo: 7V. Originalprodukt vom Hersteller: Sanyo. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 05:13