NPN-Transistor 2SC3503, 0.1A, TO-126F, TO-126, 300V

NPN-Transistor 2SC3503, 0.1A, TO-126F, TO-126, 300V

Menge
Stückpreis
1-4
0.96fr
5-24
0.79fr
25-49
0.69fr
50-99
0.63fr
100+
0.54fr
Gleichwertigkeit vorhanden
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NPN-Transistor 2SC3503, 0.1A, TO-126F, TO-126, 300V. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse: TO-126F. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. CE-Diode: nein. Darlington-Transistor?: nein. FT: 150 MHz. Funktion: Audiospannungsverstärker, CRT-Definition, Videoausgang. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 0.2A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C3503-D. Kosten): 2.6pF. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.6V. Maximaler hFE-Gewinn: 120. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 7W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1381. Technologie: „Epitaktischer Siliziumtransistor“. Temperatur: +150°C. Transistortyp: NPN. VCBO: 300V. Originalprodukt vom Hersteller: Sanyo. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 05:13

Technische Dokumentation (PDF)
2SC3503
27 Parameter
Kollektorstrom
0.1A
Gehäuse
TO-126F
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-126
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
300V
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
CE-Diode
nein
Darlington-Transistor?
nein
FT
150 MHz
Funktion
Audiospannungsverstärker, CRT-Definition, Videoausgang
Halbleitermaterial
Silizium
Ic(Impuls)
0.2A
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
C3503-D
Kosten)
2.6pF
Maximale Sättigungsspannung VCE(sat)
0.6V
Maximaler hFE-Gewinn
120
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
60
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
7W
RoHS
ja
Spec info
Komplementärtransistor (Paar) 2SA1381
Technologie
„Epitaktischer Siliziumtransistor“
Temperatur
+150°C
Transistortyp
NPN
VCBO
300V
Originalprodukt vom Hersteller
Sanyo

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