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NPN-Transistor 2SC3519A, 15A, TO-3P ( TO3P ), TO3P-3L, 180V
Menge
Stückpreis
1-4
7.21fr
5-9
6.77fr
10-19
6.56fr
20-49
6.38fr
50+
6.10fr
| Gleichwertigkeit vorhanden | |
| Menge auf Lager: 11 |
NPN-Transistor 2SC3519A, 15A, TO-3P ( TO3P ), TO3P-3L, 180V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-3P ( TO3P ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO3P-3L. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 180V. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -55...+150°C. CE-Diode: nein. FT: 50 MHz. Funktion: für Hi-Fi-Audioverstärker. Halbleitermaterial: Silizium. Kosten): 250pF. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Maximaler hFE-Gewinn: 180. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 50. Pd (Verlustleistung, max): 130W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1386A. Technologie: NPN-Epitaxial-Planartransistor. Transistortyp: NPN. VCBO: 180V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Sanken. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 05:13
2SC3519A
22 Parameter
Kollektorstrom
15A
Gehäuse
TO-3P ( TO3P )
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO3P-3L
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
180V
BE-Diode
nein
Betriebstemperatur
-55...+150°C
CE-Diode
nein
FT
50 MHz
Funktion
für Hi-Fi-Audioverstärker
Halbleitermaterial
Silizium
Kosten)
250pF
Maximale Sättigungsspannung VCE(sat)
2V
Maximaler hFE-Gewinn
180
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
50
Pd (Verlustleistung, max)
130W
Spec info
Komplementärtransistor (Paar) 2SA1386A
Technologie
NPN-Epitaxial-Planartransistor
Transistortyp
NPN
VCBO
180V
Vebo
5V
Originalprodukt vom Hersteller
Sanken