NPN-Transistor 2SC4770, 7A, TO-3PF ( SOT399 / 2-16E3A ), TO3PML, 800V

NPN-Transistor 2SC4770, 7A, TO-3PF ( SOT399 / 2-16E3A ), TO3PML, 800V

Menge
Stückpreis
1-4
2.94fr
5-24
2.55fr
25-49
2.33fr
50+
2.28fr
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NPN-Transistor 2SC4770, 7A, TO-3PF ( SOT399 / 2-16E3A ), TO3PML, 800V. Kollektorstrom: 7A. Gehäuse: TO-3PF ( SOT399 / 2-16E3A ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO3PML. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -...+150°C. CE-Diode: nein. Funktion: TV-HA. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 16A. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 5V. Maximaler hFE-Gewinn: 8:1. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 3. Pd (Verlustleistung, max): 60W. Technologie: „Triple Diffused Planar Silicon Transistor“. Tf (Typ): 0.1us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Vebo: 7V. Originalprodukt vom Hersteller: Sanyo. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 12:12

Technische Dokumentation (PDF)
2SC4770
21 Parameter
Kollektorstrom
7A
Gehäuse
TO-3PF ( SOT399 / 2-16E3A )
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO3PML
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
800V
BE-Diode
nein
Betriebstemperatur
-...+150°C
CE-Diode
nein
Funktion
TV-HA
Halbleitermaterial
Silizium
Ic(Impuls)
16A
Maximale Sättigungsspannung VCE(sat)
5V
Maximaler hFE-Gewinn
8:1
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
3
Pd (Verlustleistung, max)
60W
Technologie
„Triple Diffused Planar Silicon Transistor“
Tf (Typ)
0.1us
Transistortyp
NPN
VCBO
1500V
Vebo
7V
Originalprodukt vom Hersteller
Sanyo