NPN-Transistor 2SC5198-TOS, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 140V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): 2-16C1B. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 140V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. CE-Diode: nein. FT: 30 MHz. Funktion: HI-FI-Leistungsverstärker. Halbleitermaterial: Silizium. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C5198 O. Kosten): 170pF. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Maximaler hFE-Gewinn: 160. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 80. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 100W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1941. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Technologie: „Triple Diffused Planar Transistor“. Temperatur: +150°C. Transistortyp: NPN. VCBO: 140V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Toshiba. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 12:12