NPN-Transistor 2SC5299, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PML, 800V

NPN-Transistor 2SC5299, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PML, 800V

Menge
Stückpreis
1-4
2.65fr
5-14
2.32fr
15-29
2.11fr
30-59
1.95fr
60+
1.74fr
Gleichwertigkeit vorhanden
Menge auf Lager: 6

NPN-Transistor 2SC5299, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PML, 800V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PML. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -...+150°C. CE-Diode: nein. Darlington-Transistor?: nein. Funktion: Zur hochauflösenden horizontalen Ablenkung. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 25A. Maximaler hFE-Gewinn: 30. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 70W. RoHS: ja. Spec info: Display-HA MONITOR. Sättigungsspannung VCE(sat): 5V. Temperatur: +150°C. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Originalprodukt vom Hersteller: Sanyo. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 12:12

Technische Dokumentation (PDF)
2SC5299
26 Parameter
Kollektorstrom
10A
Gehäuse
TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-3PML
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
800V
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
Betriebstemperatur
-...+150°C
CE-Diode
nein
Darlington-Transistor?
nein
Funktion
Zur hochauflösenden horizontalen Ablenkung
Halbleitermaterial
Silizium
Ic(Impuls)
25A
Maximaler hFE-Gewinn
30
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
20
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
70W
RoHS
ja
Spec info
Display-HA MONITOR
Sättigungsspannung VCE(sat)
5V
Temperatur
+150°C
Tf(max)
0.2us
Tf(min)
0.1us
Transistortyp
NPN
VCBO
1500V
Originalprodukt vom Hersteller
Sanyo

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