NPN-Transistor 2SC5449, 12A, TO-3PFM ( 13-16A1A ), TO-3PFM, 700V

NPN-Transistor 2SC5449, 12A, TO-3PFM ( 13-16A1A ), TO-3PFM, 700V

Menge
Stückpreis
1-4
2.45fr
5-24
2.13fr
25-49
1.90fr
50+
1.67fr
Gleichwertigkeit vorhanden
Menge auf Lager: 1000

NPN-Transistor 2SC5449, 12A, TO-3PFM ( 13-16A1A ), TO-3PFM, 700V. Kollektorstrom: 12A. Gehäuse: TO-3PFM ( 13-16A1A ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PFM. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. Anzahl der Terminals: 3. FT: kHz. Funktion: Horizontale Ablenkungsausgabe. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 24A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C5449. Maximaler hFE-Gewinn: 30. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Spec info: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Sättigungsspannung VCE(sat): 5V. Technologie: „Triple Diffused Planar Transistor“. Temperatur: +150°C. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.15us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Vebo: 6V. Originalprodukt vom Hersteller: Hitachi. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 12:12

2SC5449
25 Parameter
Kollektorstrom
12A
Gehäuse
TO-3PFM ( 13-16A1A )
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-3PFM
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
700V
Anzahl der Terminals
3
FT
kHz
Funktion
Horizontale Ablenkungsausgabe
Halbleitermaterial
Silizium
Ic(Impuls)
24A
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
C5449
Maximaler hFE-Gewinn
30
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
10
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
50W
Spec info
Hochgeschwindigkeitsumschaltung
Sättigungsspannung VCE(sat)
5V
Technologie
„Triple Diffused Planar Transistor“
Temperatur
+150°C
Tf(max)
0.2us
Tf(min)
0.15us
Transistortyp
NPN
VCBO
1500V
Vebo
6V
Originalprodukt vom Hersteller
Hitachi

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