NPN-Transistor 2SC5707FA, 8A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 80V

NPN-Transistor 2SC5707FA, 8A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 80V

Menge
Stückpreis
1-4
0.79fr
5-24
0.62fr
25-49
0.56fr
50+
0.49fr
Menge auf Lager: 212

NPN-Transistor 2SC5707FA, 8A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 80V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Anzahl der Terminals: 2. FT: 330 MHz. Funktion: DC-DC-Wandler, TFT-Netzteil. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 11A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C5707T. Maximaler hFE-Gewinn: 560. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 15W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA2040FA. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.11V. Technologie: „Epitaxialer planarer Siliziumtransistor“. Temperatur: +150°C. Tf(max): 25 ns. Tf(min): 25 ns. Transistortyp: NPN. VCBO: 80V. Vebo: 6V. Originalprodukt vom Hersteller: Sanyo. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 12:12

Technische Dokumentation (PDF)
2SC5707FA
26 Parameter
Kollektorstrom
8A
Gehäuse
D-PAK ( TO-252 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 )
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
80V
Anzahl der Terminals
2
FT
330 MHz
Funktion
DC-DC-Wandler, TFT-Netzteil
Halbleitermaterial
Silizium
Ic(Impuls)
11A
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
C5707T
Maximaler hFE-Gewinn
560
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
200
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
15W
RoHS
ja
Spec info
Komplementärtransistor (Paar) 2SA2040FA
Sättigungsspannung VCE(sat)
0.11V
Technologie
„Epitaxialer planarer Siliziumtransistor“
Temperatur
+150°C
Tf(max)
25 ns
Tf(min)
25 ns
Transistortyp
NPN
VCBO
80V
Vebo
6V
Originalprodukt vom Hersteller
Sanyo