NPN-Transistor 2SD1047, 8A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 140V
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NPN-Transistor 2SD1047, 8A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 140V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 140V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. CE-Diode: nein. FT: 15 MHz. Funktion: Audio-Leistungsverstärker, DC-DC-Wandler. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 16A. Kosten): 120pF. Maximaler hFE-Gewinn: 200. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 80W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SB817. Transistortyp: NPN. VCBO: 160V. Vebo: 6V. Originalprodukt vom Hersteller: Korea Electronics Semi. Bestandsmenge aktualisiert am 01/01/2026, 09:10
2SD1047
23 Parameter
Kollektorstrom
8A
Gehäuse
TO-3PN ( 2-16C1B )
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-3PN
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
140V
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
CE-Diode
nein
FT
15 MHz
Funktion
Audio-Leistungsverstärker, DC-DC-Wandler
Halbleitermaterial
Silizium
Ic(Impuls)
16A
Kosten)
120pF
Maximaler hFE-Gewinn
200
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
60
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
80W
RoHS
ja
Spec info
Komplementärtransistor (Paar) 2SB817
Transistortyp
NPN
VCBO
160V
Vebo
6V
Originalprodukt vom Hersteller
Korea Electronics Semi.