NPN-Transistor 2SD110, 10A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 110V
Menge
Stückpreis
1-9
3.12fr
10-24
2.80fr
25-99
2.58fr
100+
2.23fr
| Veraltetes Produkt, wird bald aus dem Katalog entfernt. Letzte verfügbare Artikel | |
| Menge auf Lager: 2 |
NPN-Transistor 2SD110, 10A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 110V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 110V. Anzahl der Terminals: 2. FT: 1 MHz. Halbleitermaterial: Silizium. Kosten): 200pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 100W. RoHS: ja. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Transistortyp: NPN. VCBO: 130V. Vebo: 10V. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 12:12
2SD110
16 Parameter
Kollektorstrom
10A
Gehäuse
TO-3 ( TO-204 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-3
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
110V
Anzahl der Terminals
2
FT
1 MHz
Halbleitermaterial
Silizium
Kosten)
200pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
100W
RoHS
ja
Sättigungsspannung VCE(sat)
1.5V
Transistortyp
NPN
VCBO
130V
Vebo
10V