NPN-Transistor 2SD1439, M31/J, 3A, 3A, 1500V
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NPN-Transistor 2SD1439, M31/J, 3A, 3A, 1500V. Gehäuse: M31/J. Kollektorstrom: 3A. Kollektorstrom Ic [A], max.: 3A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1500V. Anzahl der Terminals: 3. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Grenzfrequenz ft [MHz]: -. Halbleitermaterial: Silizium. Herstellerkennzeichnung: -. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 1.5 kV. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: -.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 50W. Menge pro Karton: 1. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: nein. Transistortyp: NPN. Originalprodukt vom Hersteller: Matsushita. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 12:12
2SD1439
15 Parameter
Gehäuse
M31/J
Kollektorstrom
3A
Kollektorstrom Ic [A], max.
3A
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
1500V
Anzahl der Terminals
3
Halbleitermaterial
Silizium
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]
1.5 kV
Komponentenfamilie
NPN Bipolar Transistor
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
50W
Menge pro Karton
1
Pd (Verlustleistung, max)
50W
RoHS
nein
Transistortyp
NPN
Originalprodukt vom Hersteller
Matsushita