NPN-Transistor 2SD1623S, 2A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 50V. Kollektorstrom: 2A. Gehäuse: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-89. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. CE-Diode: nein. FT: 150 MHz. Funktion: Hochstromschaltung, niedrige Sättigungsspannung. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: Komplementärtransistor (Paar) 2SB1123S. Ic(Impuls): 4A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: DF. Maximaler hFE-Gewinn: 280. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 140. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. RoHS: ja. Spec info: Siebdruck/SMD-Code DF. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Technologie: „Epitaxialer planarer Siliziumtransistor“. Temperatur: +150°C. Tf(max): 30 ns. Tf(min): 30 ns. Transistortyp: NPN. VCBO: 60V. Vebo: 6V. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 07:46