NPN-Transistor 2SD1804, 8A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 50V

NPN-Transistor 2SD1804, 8A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 50V

Menge
Stückpreis
1-4
2.74fr
5-9
2.37fr
10-24
2.13fr
25-49
1.97fr
50+
1.76fr
Menge auf Lager: 3

NPN-Transistor 2SD1804, 8A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 50V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Anzahl der Terminals: 2. FT: 180 MHz. Funktion: Hochstromschaltung, niedrige Sättigungsspannung. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 12A. Maximaler hFE-Gewinn: 400. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 35. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 20W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SB1204. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Technologie: „Epitaktische planare Siliziumtransistoren“. Temperatur: +150°C. Tf(max): 20 ns. Tf(min): 20 ns. Transistortyp: NPN. VCBO: 60V. Vebo: 6V. Originalprodukt vom Hersteller: Sanyo. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 07:46

Technische Dokumentation (PDF)
2SD1804
24 Parameter
Kollektorstrom
8A
Gehäuse
D-PAK ( TO-252 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
50V
Anzahl der Terminals
2
FT
180 MHz
Funktion
Hochstromschaltung, niedrige Sättigungsspannung
Halbleitermaterial
Silizium
Ic(Impuls)
12A
Maximaler hFE-Gewinn
400
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
35
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
20W
Spec info
Komplementärtransistor (Paar) 2SB1204
Sättigungsspannung VCE(sat)
0.2V
Technologie
„Epitaktische planare Siliziumtransistoren“
Temperatur
+150°C
Tf(max)
20 ns
Tf(min)
20 ns
Transistortyp
NPN
VCBO
60V
Vebo
6V
Originalprodukt vom Hersteller
Sanyo