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NPN-Transistor 2SD1941, M31/C, 6A, 6A, 650V
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NPN-Transistor 2SD1941, M31/C, 6A, 6A, 650V. Gehäuse: M31/C. Kollektorstrom Ic [A], max.: 6A. Kollektorstrom: 6A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 650V. Anzahl der Terminals: 3. Funktion: TV/HA (F). Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Grenzfrequenz ft [MHz]: -. Halbleitermaterial: Silizium. Herstellerkennzeichnung: -. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 1500V/650V. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: -.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 50W. Menge pro Karton: 1. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: nein. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Originalprodukt vom Hersteller: Hitachi. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 07:46
2SD1941
17 Parameter
Gehäuse
M31/C
Kollektorstrom Ic [A], max.
6A
Kollektorstrom
6A
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
650V
Anzahl der Terminals
3
Funktion
TV/HA (F)
Halbleitermaterial
Silizium
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]
1500V/650V
Komponentenfamilie
NPN Bipolar Transistor
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
50W
Menge pro Karton
1
Pd (Verlustleistung, max)
50W
RoHS
nein
Transistortyp
NPN
VCBO
1500V
Originalprodukt vom Hersteller
Hitachi