NPN-Transistor 2SD2390-SKN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P ( MT-100 ), 150V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P ( MT-100 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. CE-Diode: nein. Darlington-Transistor?: ja. FT: 55 MHz. Funktion: hFE 5000. Halbleitermaterial: Silizium. Menge pro Karton: 2. Minimaler hFE-Gewinn: 5000. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SB1560. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Technologie: „Triple Diffused Planar Transistor“. Temperatur: +150°C. Transistortyp: NPN. VCBO: 160V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Sanken. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 07:46