NPN-Transistor 2SD718, 8A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 120V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. CE-Diode: nein. FT: 12 MHz. Funktion: Audio-Leistungsverstärker. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 10A. Maximaler hFE-Gewinn: 160. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 55. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 80W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SB688. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Temperatur: +150°C. Transistortyp: NPN. VCBO: 120V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Korea Electronics Semi. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:24